產(chǎn)品中心
Product Center當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心環(huán)保類(lèi)檢測(cè)儀器電磁輻射分析儀/場(chǎng)強(qiáng)儀器H-1電磁輻射分析儀1hz-100khz(場(chǎng)強(qiáng)儀)
H-1電磁輻射分析儀1hz-100khz(場(chǎng)強(qiáng)儀)H-1 型低頻電磁場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試儀,依據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研制開(kāi)發(fā),滿(mǎn)足國(guó)家職業(yè)衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)(GBZ/T189.3-2018)《工作場(chǎng)所物理因素測(cè)量第 3 部分,1Hz~100KHz 電場(chǎng)和磁場(chǎng)》等相關(guān)測(cè)試要求。
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產(chǎn)品分類(lèi)品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 儀器種類(lèi) | 計(jì)量/劑量率儀 |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保 |
H-1電磁輻射分析儀1hz-100khz(場(chǎng)強(qiáng)儀) 產(chǎn)品介紹:
H-1 型低頻電磁場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試儀,依據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研制開(kāi)發(fā),滿(mǎn)足國(guó)家職業(yè)衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)(GBZ/T189.3-2018)《工作場(chǎng)所物理因素測(cè)量第 3 部分,1Hz~100KHz 電場(chǎng)和磁場(chǎng)》等相關(guān)測(cè)試要求。
儀器基本原理及組成
儀器配有一個(gè)各項(xiàng)同性電場(chǎng)測(cè)試探頭,具有全向探測(cè)功能,測(cè)試頻率范圍寬,動(dòng)態(tài)范圍大的特點(diǎn)、均方根值顯示;利用數(shù)據(jù)采集、處理、顯示和校準(zhǔn)技術(shù),確保了儀器讀數(shù)清晰、準(zhǔn)確;功能完善,性能穩(wěn)定可靠,適用于危害電磁輻射場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試。H-1 型低頻電磁場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試儀由三維電場(chǎng)探頭、數(shù)據(jù)采集及處理、顯示等部分組成。
H-1電磁輻射分析儀1hz-100khz(場(chǎng)強(qiáng)儀) 技術(shù)參數(shù)
1、測(cè)試頻率范圍:1Hz-100KHz;
2、電場(chǎng)測(cè)試范圍:10V/m-50kv/m
3、頻響誤差:±3dB
4、各向同性誤差:±1dB
5、測(cè)試誤差:±1dB
設(shè)備配置清單:
1.主機(jī)一臺(tái)
2.1Hz-100KHz 三維電場(chǎng)探頭一個(gè)
3.9V 充電電池 2 個(gè),充電器一個(gè)
4.儀器使用說(shuō)明書(shū)
5.儀器箱
儀器使用說(shuō)明操作步驟:
儀器使用操作分別由【k1】、【k2】、【k3】鍵完成。具體操作方法如下:
1. 按下【k1】鍵,儀器開(kāi)機(jī),顯示屏顯示 H-1,及出廠日期,進(jìn)入工作狀態(tài);
2. 利 用 【 k2 】 鍵 選 擇 工 頻 ( 1Hz~100Hz ) 還 是 低 頻 測(cè) 量(100Hz~100KHz);
3. 當(dāng)測(cè)試探頭鎖定,測(cè)試狀態(tài)選擇工頻還是低頻操作完成后,利用【k3】鍵完成校零,即進(jìn)入測(cè)試狀態(tài)。
4. 儀器校零操作
測(cè)試參數(shù)選擇完成后,即可進(jìn)入正常測(cè)試,此時(shí)若 LCD 屏顯示值沒(méi)有歸零,則利用【k3】健進(jìn)行校零,釋放【k3】健為校零狀態(tài),顯示為“-E-”,按下【k3】健為校零完成,此校零操作可反復(fù)進(jìn)行,直至滿(mǎn)意。然后將探頭移至預(yù)先選定的測(cè)試部位,進(jìn)行測(cè)量。
5. 注意:校零時(shí)探頭應(yīng)盡量遠(yuǎn)離電磁輻射源或?qū)⑻筋^置于電磁屏蔽罩中,以確保測(cè)試數(shù)據(jù)的有效性和準(zhǔn)確性。
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